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              工艺平台
              Process platform
              Bipolar

              1.WP32,1μm 32V Linear Bipolar

              WP32工艺是中科渝芯线性双极工艺平台之一。工艺平台提供标准32V 高频NPN管、32V LPNP管、15V 衬底PNP管,以及掺杂电阻、低温度系数多晶电阻、高值MIS电容、齐纳二极管等器件,双层布线。工艺平台详尽的设计规则,精确的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。

              工艺特性:

              采用N型外延, PN结隔离工艺;

              17层光罩,17层光刻(其中包含高值电阻、齐纳、MIS电容、多晶电阻等可选),最少为13层光刻层;

              高频NPN管fT≥1.2GHz;

              低温度系数多晶电阻≤100ppm;

              采用PtSi孔接触;

              可选器件包含:注入高值电阻、齐纳二极管、MIS电容、多晶电阻等器件,以及其他特殊需求。

              典型应用:

              (1) 电源管理电路

              (2) 运算放大器电路


              2.WP18,1μm 18V Linear Bipolar

              WP18工艺是中科渝芯线性双极工艺平台之一。工艺平台提供标准18V 高频NPN管、18V LPNP管、18V 衬底PNP管,以及掺杂电阻、多晶电阻、高值MIS电容、齐纳二极管等可选器件,双层布线。工艺平台详尽的设计规则,精确的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。

              工艺特性:

              (1) 采用N型外延, PN结隔离工艺;

              (2) 16层光罩,16层光刻层(其中包含高值电阻、齐纳、MIS电容、多晶电阻,双层布线等可选),最少为11层光刻层;

              (3) 高频NPN管fT≥4.5GHz;

              (4) 可选器件包含:注入高值电阻、齐纳二极管、MIS电容、多晶电阻等器件,以及其他特殊需求。

              典型应用:

              (1)     电源管理电路

              (2) 运算放大器电路


              3.WB18,2μm 18V Bipolar

              WB18工艺是中科渝芯标准双极工艺平台之一。工艺平台提供标准PN结隔离的18V NPN管,18V LPNP管,18V SPNP管、18V VPNP管,以及掺杂电阻、齐纳二极管、高值氮化硅电容等可选器件,同时具备双层布线能力,可根据客户需求进行选择。工艺平台详尽的设计规则,精确的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。

              工艺特性:

              (1) 采用N型外延, PN结隔离工艺;

              (2) 16 层光罩,16层光刻层(其中包含掺杂电阻、SPNP管、高值MIS电容、双层布线等可选),最少为8层光刻层;

              (3) 可选器件包含:掺杂电阻、VPNP管、齐纳二极管,以及其他特殊需求。

              典型应用:

              (1) 电源管理电路

              (2) 常规运算放大器电路

              (3) LDO稳压器


              4.WX40,2μm 40V Bi-FET

              WX40工艺是中科渝芯高压双极-JFET兼容工艺平台之一。工艺平台提供40V高压NPN管,40V横向PNP管,40V隔离PNP管,40V P型JFET器件,以及注入高值电阻、多晶高阻、齐纳二极管以及氮化硅电容等器件。同时具备双层布线能力,可以节省芯片面积,为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则,精确的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。

              工艺特性:

              采用N型外延, PN结隔离工艺;

              (2)  21 层光罩,21层光刻层(其中包含N阱、高阻、N-基区、电容、多晶硅,双层布线等可选),最少10层光刻层;

              (3) 可选器件:注入高值电阻、多晶高阻、齐纳二极管、隔离PNP、PJFET器件,其他特殊需求。

              典型应用:

              (1) 电源管理电路

              (2) 各类运算放大器电路

              (3) LDO稳压器


              5.WB70,4μm 70V Bipolar

              WB70工艺是中科渝芯标准高压双极工艺平台之一。工艺平台提供70V高压NPN管,70V横向PNP管,以及注入高值电阻、齐纳二极管以及氮化硅电容等器件。同时具备双层布线能力,可以节省芯片面积,为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则,精确的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具

              工艺特性:

              (1) 采用N型外延, PN结隔离工;

              (2) 14 层光罩,14层光刻层(其中包含高阻、电容、双层布线等可选),最少为9层光刻层;

              (3)  可选器件包含:注入高值电阻、齐纳二极管,其他特殊需求。

              典型应用:

              (1) 电源管理电路

              (2) 常规运算放大器电路



              6.WB40,2μm 40V Bipolar

              WB40工艺是中科渝芯标准高压双极工艺平台之一。工艺平台提供40V高压NPN管,40V横向PNP管,40V隔离PNP管以及注入高值电阻、齐纳二极管以及氮化硅电容等器件。同时具备双层金属布线能力,可以节省芯片面积,为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则,精确的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。

              工艺特性:

              (1) 采用N型外延, PN结隔离工;

              (2) 16 层光罩,16层光刻层(其中包含高阻、悬浮PNP管、电容、双层布线等可选),最少为9层光刻层;

              (3) 注入高值电阻;

              (4) 可选器件包含:注入高值电阻、隔离PNP管、齐纳二极管,其他特殊需求。

              典型应用:

              (1) 电源管理电路

              (2) 常规运算放大器电路

              (3) LDO稳压器


              7.HC12,0.6μm 12V Performance Complementary Bipolar

              HC12工艺是中科渝芯高性能互补双极工艺平台之一。该工艺平台采用DPSA器件结构,提供12V VNPN、VPNP管,高值多晶电阻、低值p型多晶高阻、低值n型多晶电阻以及MIS、MIM氮化硅电容以及Schottky二极管等器件。提供双层或三层可选的布线工艺,为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则,精确的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。

              工艺特性

              (1) 双多晶自对准工艺;

              (2) 深槽介质隔离

              (3) ??榛杓?,29(或27)次光刻;

              (4) VNPN、VPNP管特征频率fT分别达到8.5GHz和8GHz

              典型应用:

              (1) 高速(视频)放大器,ADSL驱动

              (2) DVD 激光二极管驱动

              (3) 高速逻辑电路


              8.HX30,0.6μm 30V Performance SOI Complementary Bipolar

              HX30工艺是中科渝芯SOI高性能互补双极工艺平台之一。该工艺平台采用DPSA器件结构、SOI全介质隔离,提供30V VNPN、VPNP管,高值多晶电阻、低值p型多晶高阻、低值n型多晶电阻以及MIS、氮化硅电容以及Schottky二极管等器件。采用双层布线工艺,为客户提供产品竞争力。工艺平台详尽的设计规则,精确的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。

              工艺特性:

              (1) 双多晶自对准工艺;

              (2) SOI、深槽全介质隔离;

              (3) ??榛杓?,25(或23)次光刻;

              (4) VNPN、VPNP管特征频率fT达到4GHz ;

              典型应用:

              (1) 高速(视频)放大器,ADSL驱动

              (2) DVD 激光二极管驱动

              (3) 电缆调制解调器


              9.WC40S(4μm 40V high-speed Complementary Bipolar)

              WC40S(4μm 40V high-speed Complementary Bipolar)

              WC40S工艺是中科渝芯高压高速互补双极工艺平台。工艺平台提供标准40V NPN管、 VPNP管,P型结型场效应晶体管,以及高/低值掺杂电阻、低温度系数多晶电阻、高值MIS电容、齐纳二极管等器件,双层布线。工艺平台详尽的设计规则,初步的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。

              工艺特性:

              采用SOI片制作: 衬底材料:(100) P 型 硼掺杂 电阻率:15-20ohm-cm 器件层:(100) p 型 硼掺杂 电阻率:15-20ohm-cm 厚度 5+/-0.5um 氧化层:厚度 0.65+/-0.05um

              采用N型外延, 介质隔离工艺;

              25层光罩,25层光刻(其中包含PJFET器件、高值电阻、MIS电容、多晶电阻、薄膜电阻、双层布线等可选),最少为15层光刻层;

              高频NPN/PNP管fT≥0.4GHz;

              CrSi电阻温度系数≤50ppm;

              可选器件包含:注入高值电阻、MIS电容、多晶电阻、薄膜电阻、双层布线等器件。

              典型应用:

              (1) 电源管理电路

              (2) 放大器电路

              (3) 驱动器电路

              (4) 基准电路





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