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              工艺平台
              Process platform
              CMOS

              1.CM06,0.6μm Analog CMOS

              CM06工艺是中科渝芯高低压兼容模拟CMOS工艺平台。特别适合混合信号电路应用, 如电源管理(AC-DC / DC-DC)和 LED 驱动等相关产品设计, 工艺平台特征为0.6微米、双多晶、双栅氧、三层金属布线,工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS,15V/25V/40V/60V LDMOS 及其他高压CMOS 器件,多晶高阻电阻(Poly-Resistance),高压三极管(BJT),电容(Capacitance)等。CM06工艺平台提供详尽的设计规则、准确高溫模型、数字和模拟的标准单元库、IP和设计包支持主要的EDA软件工具。

              工艺特征:

              双层多晶,3层金属布线;

              双栅氧 (130A/400A)

              低温度系数多晶电阻,高精度PIP线性电容。

              多晶高阻3.5K;

              15V/25V/40V/60V 高压MOS晶体管;

              典型应用:

              DC-DC 转换电路;

              电源管理电路;

              低功耗数?;旌系缏?;

              高精度数?;旌系缏?;


              2.CM30(3μm  CMOS)

              CM30工艺是中科渝芯3μm 10V/25V模拟CMOS工艺平台之一,具有较好的KFZ性能,主要适用于驱动器、接口电路。工艺平台提供标准10V NMOS/PMOS管,25V高压对称型MOS管等有源器件,以及高低值掺杂电阻及低温度系数的铬硅电阻。单双层布线工艺可选。工艺平台详尽的设计规则,精确的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。

              工艺特征:

              采用N<100>型衬底P阱工艺,全流程19层光罩, 19次光刻,最少光刻10次光刻;

              高低压器件兼容;

              单多晶、双铝布线工艺;

              高阻、铬硅电阻、顶层铝可选。

              典型应用:

              (1)电源管理

              (2)驱动器


              3.CM80(8μm  CMOS)

               CM80工艺是中科渝芯8μm 15V/33V模拟CMOS工艺平台之一,具有较好的KFZ性能,主要适用于驱动器、接口、高压AD/DA电路。工艺平台提供标准低压15V NMOS/PMOS管,高压33V对称型MOS管等有源器件,以及高低值掺杂电阻及低温度系数的铬硅电阻。单双层布线工艺可选。工艺平台详尽的设计规则,精确的SPICE模型,DRC和LVS工具包可以支持主要的EDA软件工具。

              工艺特征:

              采用N<100>型外延P阱工艺,全流程18层光罩,18次光刻,最少光刻10次光刻;

              单多晶、双铝布线工艺;

              高阻、铬硅电阻、顶层铝可选。

              典型应用:

              (1)电源管理

              (2)驱动器

              (3)高压数模转换器




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