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              工艺平台
              Process platform
              短工序加工

              1、单片外延

              超薄(≤0.5um)外延、薄硅(≤2um)高阻(≥20Ω.cm)外延、多层外延、SiGe外延


              2、0.5 ~ 0.35um光刻能力

              Nikon Stepper能力满足0.35um线宽尺寸


              3、Pt加工

              Pt、Ni/Pt溅射、合金/退火工艺配备,具备功率整流器件制造,以及模拟集成电路功能的特别需求


              4、多样化的多层布线技术

              以PECVD、APCVD、SACVD、PVD、WCVD、CMP、Etchback为支撑的多样化多层布线技术;

              钨工艺及CMP设备,在0.5um的模拟集成电路领域具备最高四层金属布线能力


              5、背面及重金属能力

              (1)背面减薄、背面注入加工能力;

              (2)采用Sputter、Evaporation方式的Ag、Au为代表的背面金属加工技术

              (3)正面Ag、Au金属光刻、刻蚀工艺的能力配备


              6、金属加工技术

              (1)最高可达8um的AL,以及热AL加工能力

              (2) Chamber配置的单片AlSiCu、Ti、TiN金属加工工艺


              7、多种介质及设备工艺配备

              (1)基于Vertical Furnace LPCVD工艺的 TEOS、SiN、Poly加工

              (2)PECVD & APCVD 工艺的PSG、BPSG、TEOS加工


              8、完备的生产在线监控检测仪器、设备

              SRP、CD SEM、Overlay、Defect、FTIR、剖面电镜、应力检测、注入剂量和硼磷含量监测、多种类型膜厚及电阻率监测等


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